□ 과학기술부(科学技术部)는 국가첨단기술연구개발계획(1986년 3월 제정되어 '863계획'으로 일컬어짐)의 첨단제조기술 분야인 '대형 탄화규소(SiC) 재료 및 부품의 제조장비와 공정기술 연구' 과제가 기술검증을 통과했다고 전함.

- 국제적으로 탄화규소(SiC)와 질화갈륨(GaN) 등 와이드 밴드갭(Wide Band-Gap, WBG) 반도체를 통상 ‘3세대 반도체’라 부름.

- ‘국가 863계획’의 지원을 받아 신장(新疆)톈커허다란광(天科合达蓝光)반도체유한회사가 주도하고 중국과학원 물리연구소, 반도체연구소, 저장(浙江)대학교 등이 공동으로 참여하는 연구팀은 이번 자체 기술로 고압의 SiC 전력전자부품 제조에 필요한 4-6인치 SiC 단결정 성장로(Crystal Growth Furnace) 개발에 성공함.
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