□ 중국 톈진대학(天津大学)의 연구진이 세계 최초로 그래핀으로 만든 반도체를 개발함. 

◦ 이 논문은 ‘실리콘 카바이드(탄화규소, SiC) 상에서의 초전도성 그래핀 반도체(Ultrahigh-mobility semiconducting epitaxial graphene on silicon carbide)’라는 제목으로 네이처지에 게재됨. 

◦ 연구진은 특수 용광로를 사용해 유기 박막으로 덮인 탄화규소 웨이퍼에 그래핀을 성장시켰을 때 만들어진 단결정 그래핀 소재가 전형적인 반도체 특성을 띤 그래핀 반도체라고 밝힘. 

- 그래핀 반도체는 현재 실리콘 기반 반도체에 비해 전기전도성이 10배 뛰어난 것으로 측정됨. 

◦ 연구를 주도한 마레이(马雷) 톈진대학 나노시스템 국제연구센터 주임은 “이 연구를 통한 기술이 상용화하기 위해서는 10~15년 정도 더 소요될 것으로 보인다”라면서 “현재 더 큰 크기의 실리콘 카바이드 웨이퍼에 구현해내는 작업을 진행하고 있다”라고 밝힘. 

◦ 현재 세계적으로 학계와 기업은 실리콘을 대체할 수 있는 소재 개발에 주력하고 있음.

- 이는 실리콘 소재의 크기가 10나노미터보다 작아지면 이를 사용하여 만든 트랜지스터의 안정성이 낮아지는 문제가 발생하기 때문임.