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[중화권] 화웨이, SMIC과 3nm 반도체 개발
2024-05-31
* 본 콘텐츠는 싱가포르 매체를 요약·발췌했습니다.
□ 화웨이(华为)가 중신궈지(中芯国际·SMIC)와 3nm(나노미터·1nm는 10억분의 1m) 공정 반도체 칩 개발을 위해 협력할 계획인 것으로 알려짐.
◦ 미국 IT·기술 전문 매체 톰스하드웨어(Tom’s Hardware)의 2024년 5월 28일 보도에 따르면 화웨이와 중신궈지는 올해 초 자가 정렬 4중 패턴화(SAQP: Self-Aligned Quadruple Patterning) 특허를 중국 당국에 신청했으며, 이에 따라 양사는 구형 장비인 심자외선(DUV) 노광장비로 3nm 반도체 칩 생산이 가능하게 됨.
◦ 톰스하드웨어는 화웨이와 협력하는 중국 국영 반도체 칩 제조 장비 개발업체인 시캐리어(深圳新凯来公司·SiCarrier) 역시 SAQP 특허를 받았다며, 중신궈지가 SAQP 특허 기술을 반도체 칩 생산에 활용할 계획임을 확인했다고 전함.
◦ SAQP은 DUV 노광장비로 멀티패터닝(Multi-Patterning·반복 노광 공정)을 진행해 초고밀도 반도체를 제조하는 기술로 알려져 있음.
- 톰스하드웨어는 미국의 규제로 최첨단 극자외선(EUV) 노광장비 확보가 불가능한 화웨이, 중신궈지 등은 SAQP 특허 기술 발전에 심혈을 기울일 것이라고 지적함.
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